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应用案例
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第三代半导体器件毫不夸张的讲为电源行业带来了革新，基于其高速，小体积，低功耗的特点，越来越广泛应用在消费电子及电力电子行业。
功率器件如场效应晶体管和绝缘门双极晶体管，这些器件提供了快速开关速度，能够耐受没有规律的电压峰值，被广泛应用于电源转换产品的设计。
对电力电子工程师而言， 功率组件是我们的设计对象，而IGBT由于其出色的特性被广泛使用于功率组件中。功率组件的效率、保护功能、EMC等表现和GBT的应用设计具有紧密关系，而不同GBT技术也造就了性能各导的 IGBT产品。
GaN材料主要应用于偏低压应用例如800V以下的应用，像高功率密度DC/DC电源的40V-200V增强性高电子迁移率异质节晶体管（HEMT）和600V HEMT混合串联开关。当然现在也有800V以上的一些应用也是用GaN材料的。在这些应用中需要选用高压差分探头进行测试。
普科科技（PRBTEK）提供汽车,特别是电动汽车的一系列测试的设备，可按用户要求定制，或半定制一系列的自动测试功能:
在能源问题日益突出的现代，以IGBT为代表的功率半 导体器件以其优良的能效转换性能广发应用于功率电子领域。
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