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GaN材料MOSFET管测试对高带宽高压差分探头要求

  发布时间: 2022-08-03      浏览量:42

  GaN材料主要应用于偏低压应用例如800V以下的应用,像高功率密度DC/DC电源的40V-200V增强性高电子迁移率异质节晶体管(HEMT)和600V HEMT混合串联开关。当然现在也有800V以上的一些应用也是用GaN材料的。在这些应用中需要选用高压差分探头进行测试。

  SiC材料测试中高温测试需求增多,需要宽温度范围的探头。

  SiC材料主要偏向高压的应用。因其具有承受高温(300℃左右温度是没有问题的)的特点主要应用场景是在汽车和光伏逆变器等领域。这些器件的应用会对整个电源系统有很大的改进。

  综上所诉,针对宽禁带材料功率器件的测试,我们需要的是包括示波器、示波器探头以及测试软件的一套完整的测试系统。其中,对示波器探头的具体要求如下:

3.png

  01电气性能符合要求-带宽、输入电压范围(单端还是差分)、低噪声、高输入阻抗以及高共模抑制比;

  02探头前端满足规范要求;

  03探头易用性;

  04探头有没有过载保护;

  05温度范围满足规范要求,例如汽车测试需要在85℃左右;

  06高共模抑制比,防止共模信号对输出有影响;

  对于电源工程师来说,除了器件本身的测试之外,更关注器件在电路板中的性能,例如器件在工作过程中Vds电压以及损耗。器件损耗的原因主要有两个方面:(1)耐压击穿;(2)损耗。在测试过程中需要注意的几个问题是:

图片2.png

  器件损耗测试注意的问题

  除了以上提到的问题,浮地测量时地的选取以及不能和损耗&SOA同时测试也是需要我们注意的问题。

  以上就是测试GaN材料MOSFET管对高带宽高压差分探头要求的相关介绍,如您使用中还有其他问题,欢迎登录西安普科电子科技www.prbtek.com

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