PKIV6020光隔离探头在SiC/GaN功率器件与浮地高压测试中的应用

在第三代半导体（SiC/GaN）开关器件测试中，工程师经常面临高共模电压、强电磁干扰和高速开关瞬态等挑战。传统差分探头在共模抑制比和隔离电压方面存在局限，而光隔离探头通过光纤传输与光电隔离技术，可实现测试系统与被测高压回路的完全电气隔离。普科科技 PKIV6020 光隔离探头正是面向这类高压、高共模、强干扰场景设计。

PKIV6020 关键参数：

带宽：DC～200MHz（-3dB）

上升时间：≤1.75ns

共模抑制比：DC:180dB；200MHz:122dB

输出电压范围：±1.25V

底噪：≤350μVrms

标配衰减器 + 主机延时：15.5ns（2m 光纤）

直流增益精度：≤±1%

共模电压：85kVpk

供电：USB TYPE-C 5V 供电（P≤10W）

光纤长度：2m（可定制）

示波器端接口：通用标准 BNC

安全标准：IEC 61010-1 + IEC 60825-1 Class 1

EMC 标准：IEC 61326-1

标配衰减器：PKIA-20A（2:1，±2.5V）、PKIA-1000A（1000:1，±1250V）

测试场景：
某功率器件实验室需要测量一款 SiC MOSFET 的栅源电压（Vgs）和漏源电压（Vds）波形，重点关注开关瞬态和共模干扰。测试时，将 PKIV6020 的衰减器母座焊接在 SiC MOSFET 的栅极测试点，中心引脚连接至 G 端，尽量缩短引线。衰减器插入母座，听到“咔哒”声确认到位。探头连接示波器，输入阻抗设为 1MΩ，按 Cal 键执行自动校准和调零。

测试结果：

栅极驱动电压波形完整，上升时间约 1.75ns；

共模抑制比在 DC 时达 180dB，有效抑制高共模干扰；

底噪 ≤350μVrms，可清晰观察微弱信号；

共模电压 85kVpk，满足高压浮地测试需求；

光纤传输实现完全电气隔离，保障测试人员与设备安全；

自动校准调零后，直流增益精度 ≤±1%。

应用价值：
PKIV6020 采用光纤传输与光电隔离技术，具备高带宽、低输入电容、高共模抑制比等特点，既保障测量精度，也提升测试安全性。在第三代半导体（SiC/GaN）开关器件测试、开关电源、新能源逆变器、电机驱动、充电桩、功率模块等高压高速电路研发与检测以及各种浮地测试中，PKIV6020 都是理想的光隔离探头选择。

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